199D226X9020DXB1E3中文资料参数规格
技术参数
电容 22 µF
容差 ±10 %
额定电压 20 V
封装参数
安装方式 Through Hole
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
199D226X9020DXB1E3引脚图与封装图
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在线购买199D226X9020DXB1E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 199D226X9020DXB1E3 | Vishay Semiconductor 威世 | Cap Tant Solid 22uF 20V 10% 6 X 10.16mm Radial 2.54mm 125℃ T/R | 搜索库存 |
替代型号199D226X9020DXB1E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： 199D226X9020DXB1E3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： 22uF 10per | 当前型号 | Cap Tant Solid 22uF 20V 10% 6 X 10.16mm Radial 2.54mm 125℃ T/R | 当前型号 |
| 型号： 199D226X0016DXB1E3 品牌： 威世 封装： Radial 22uF 20per | 功能相似 | Cap Tant Solid 22uF 16V 20% 6 X 10.16mm Radial 2.54mm 125℃ T/R | 199D226X9020DXB1E3和199D226X0016DXB1E3的区别 |
| 型号： 199D226X9025DXB1E3 品牌： 威世 封装： 22uF 10per | 功能相似 | Cap Tant Solid 22uF 25V 10% 6 X 10.16mm Radial 2.54mm 125℃ T/R | 199D226X9020DXB1E3和199D226X9025DXB1E3的区别 |
| 型号： 199D226X9016DXB1E3 品牌： 威世 封装： 22uF 10per | 功能相似 | Cap Tant Solid 22uF 16V 10% 6 X 10.16mm Radial 2.54mm 125℃ T/R | 199D226X9020DXB1E3和199D226X9016DXB1E3的区别 |