1N6376RL4G
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ON Semiconductor
安森美
分立器件
1N6376RL4G中文资料参数规格
技术参数
无卤素状态 Halogen Free
击穿电压 14.1 V
电路数 1
钳位电压 16.5 V
最大反向电压（Vrrm） 12V
脉冲峰值功率 1500 W
最小反向击穿电压 14.1 V
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-201AD
外形尺寸
长度 9.5 mm
封装 DO-201AD
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
1N6376RL4G引脚图与封装图
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在线购买1N6376RL4G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1N6376RL4G | ON Semiconductor 安森美 | 1500瓦峰值功率Mosorb TM齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors | 搜索库存 |
替代型号1N6376RL4G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N6376RL4G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： Case | 当前型号 | 1500瓦峰值功率Mosorb TM齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors | 当前型号 |
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| 型号： 1N6376 品牌： 安森美 封装： Axial 14.1V 1.5kW | 完全替代 | 1500瓦峰值功率Mosorb齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Peak Power Mosorb Zener Transient Voltage Suppressors | 1N6376RL4G和1N6376的区别 |
| 型号： 1N6376RL4 品牌： 安森美 封装： DO-201 | 完全替代 | 1500瓦峰值功率Mosorb TM齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors | 1N6376RL4G和1N6376RL4的区别 |