199D106X0035D2A1E3中文资料参数规格
技术参数
电容 10 µF
容差 ±20 %
额定电压 35 V
封装参数
安装方式 Through Hole
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
199D106X0035D2A1E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 199D106X0035D2A1E3 | Vishay Semiconductor 威世 | Cap Tant Solid 10uF 35V 20% 6 X 10.16mm Radial 2.54mm 125℃ Ammo Pack | 搜索库存 |
替代型号199D106X0035D2A1E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： 199D106X0035D2A1E3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： 10uF 20per | 当前型号 | Cap Tant Solid 10uF 35V 20% 6 X 10.16mm Radial 2.54mm 125℃ Ammo Pack | 当前型号 |
| 型号： 199D106X0035D1V1E3 品牌： 威世 封装： 10uF 35V 20per | 完全替代 | VISHAY 199D106X0035D1V1E3 钽电容, TANTALEX®, 199系列, 10 µF, ± 20%, 35 V, 径向引线, 2.54 mm | 199D106X0035D2A1E3和199D106X0035D1V1E3的区别 |
| 型号： 199D106X9035D1V1E3 品牌： 威世 封装： 10uF 35V 10per | 功能相似 | VISHAY 199D106X9035D1V1E3 钽电容, 10uF, 35V, 径向引线 | 199D106X0035D2A1E3和199D106X9035D1V1E3的区别 |
| 型号： 199D106X5035D1V1E3 品牌： 威世 封装： 10uF 5per | 功能相似 | Cap Tant Solid 10uF 35V 5% 6 X 10.16mm Radial 2.54mm Bulk | 199D106X0035D2A1E3和199D106X5035D1V1E3的区别 |