1.5KE18ARL4G
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
1.5KE18ARL4G中文资料参数规格
技术参数
无卤素状态 Halogen Free
击穿电压 17.1 V
电路数 1
钳位电压 25.2 V
最大反向电压（Vrrm） 15.3V
测试电流 1 mA
脉冲峰值功率 1500 W
最小反向击穿电压 17.1 V
击穿电压 17.1 V
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -60 ℃
工作结温 -65℃ ~ 175℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-201AD
外形尺寸
长度 9.5 mm
高度 9.5 mm
封装 DO-201AD
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
1.5KE18ARL4G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买1.5KE18ARL4G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1.5KE18ARL4G | ON Semiconductor 安森美 | 1500W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） SMC 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率 − 1500W @ 1.0ms 3 类 ESD 等级> 16kV/人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B，用于隔离回路保护 指定了最大温度系数 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor | 搜索库存 |
替代型号1.5KE18ARL4G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1.5KE18ARL4G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： DO-201AD | 当前型号 | 1500W 齐纳瞬态电压抑制器（单向）SMC 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率 − 1500W @ 1.0ms 3 类 ESD 等级> 16kV/人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B，用于隔离回路保护 指定了最大温度系数 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor | 当前型号 |
| 型号： 1.5KE18AG 品牌： 安森美 封装： DO-201AD 18V 1.5kW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR 1.5KE18AG TVS二极管, Mosorb 1.5KE Series, 单向, 15.3 V, 25.2 V, 轴向引线, 2 引脚 新 | 1.5KE18ARL4G和1.5KE18AG的区别 |
| 型号： 1.5KE18A 品牌： 意法半导体 封装： DO-201 18V 1.5kW | 功能相似 | Transil™ TVS 轴向单向 1500W，STMicroelectronics### 瞬态电压抑制器，STMicroelectronics | 1.5KE18ARL4G和1.5KE18A的区别 |
| 型号： SA16A 品牌： 安森美 封装： Axial | 功能相似 | 500瓦峰值功率MiniMOSORB齐纳瞬态电压抑制器 500 Watt Peak Power MiniMOSORB Zener Transient Voltage Suppressors | 1.5KE18ARL4G和SA16A的区别 |