1N6382-E3/73中文资料参数规格
技术参数
工作电压 8 V
击穿电压 9.4 V
钳位电压 11.6 V
脉冲峰值功率 1500 W
最小反向击穿电压 9.4 V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DO-201AA
外形尺寸
封装 DO-201AA
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Ammo Pack
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
1N6382-E3/73引脚图与封装图
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在线购买1N6382-E3/73
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1N6382-E3/73 | Vishay Semiconductor 威世 | Diode TVS Single Bi-Dir 8V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE Ammo | 搜索库存 |
替代型号1N6382-E3/73
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N6382-E3/73 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： 1.5KE | 当前型号 | Diode TVS Single Bi-Dir 8V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE Ammo | 当前型号 |
| 型号： ICTE8C-E3/73 品牌： 威世 封装： DO-201AA | 完全替代 | Diode TVS Single Bi-Dir 8V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE Ammo | 1N6382-E3/73和ICTE8C-E3/73的区别 |
| 型号： ICTE8C-E3/51 品牌： 威世 封装： | 完全替代 | Diode TVS Single Bi-Dir 8V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE Bulk | 1N6382-E3/73和ICTE8C-E3/51的区别 |
| 型号： 1N6382HE3_A/D 品牌： 威世 封装： | 完全替代 | TVS DIODE 8VWM 11.6VC 1.5KE | 1N6382-E3/73和1N6382HE3_A/D的区别 |