![1N6384-E3/73](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_459/chanpintu/1n6384-e373-lKnBQebV-nqQVJdn7o.png)
1N6384-E3/73中文资料参数规格
技术参数
工作电压 12 V
击穿电压 14.1 V
钳位电压 17.1 V
脉冲峰值功率 1500 W
最小反向击穿电压 14.1 V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DO-201AA
外形尺寸
封装 DO-201AA
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Ammo Pack
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
1N6384-E3/73引脚图与封装图
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在线购买1N6384-E3/73
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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1N6384-E3/73 | Vishay Semiconductor 威世 | Diode TVS Single Bi-Dir 12V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE Ammo | 搜索库存 |
替代型号1N6384-E3/73
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 1N6384-E3/73 品牌: Vishay Semiconductor 威世 封装: DO-201 | 当前型号 | Diode TVS Single Bi-Dir 12V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE Ammo | 当前型号 | |
型号: ICTE12C-E3/73 品牌: 威世 封装: DO-201AA | 完全替代 | ESD 抑制器/TVS 二极管 1.5KW 12V Bidirect | 1N6384-E3/73和ICTE12C-E3/73的区别 | |
型号: 1N6384HE3_A/D 品牌: 威世 封装: | 完全替代 | Tvs Diode 12vwm 17.1vc 1.5ke | 1N6384-E3/73和1N6384HE3_A/D的区别 |