
199D335X0050D2V1E3中文资料参数规格
技术参数
电容 3.30 µF
容差 ±20 %
额定电压 50 V
封装参数
安装方式 Through Hole
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
199D335X0050D2V1E3引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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199D335X0050D2V1E3 | Vishay Semiconductor 威世 | CAP TANT 3.3uF 50V 20% RADIAL | 搜索库存 |
替代型号199D335X0050D2V1E3
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 199D335X0050D2V1E3 品牌: Vishay Semiconductor 威世 封装: 3.3uF 20per | 当前型号 | CAP TANT 3.3uF 50V 20% RADIAL | 当前型号 | |
型号: 199D335X0050D1V1E3 品牌: 威世 封装: 3.3uF 20per | 完全替代 | Cap Tant Solid 3.3uF 50V 20% 6 X 10.16mm Radial 2.54mm 125℃ Bulk | 199D335X0050D2V1E3和199D335X0050D1V1E3的区别 |