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1SMB17CAT3G

1SMB17CAT3G

数据手册.pdf
ON Semiconductor 安森美 分立器件

600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器,1SMB 系列(双向)ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

27.6V Clamp 21.7A Ipp Tvs Diode Surface Mount 425-TEPBGA I 19x19


得捷:
TVS DIODE 17VWM 27.6VC 425TEPBGA


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Vrwm:17V 600W


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Diode TVS Single Bi-Dir 17V 600W 2-Pin SMB T/R


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1SMB17CAT3G, Bi-Directional TVS Diode, 600W, 2-Pin SMB


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TVS DIODE 17VWM 27.6VC SMB


1SMB17CAT3G中文资料参数规格
技术参数

电容 490 pF

无卤素状态 Halogen Free

击穿电压 18.9 V

电路数 1

耗散功率 600 W

钳位电压 27.6 V

最大反向电压(Vrrm) 17V

测试电流 1 mA

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 18.9 V

击穿电压 18.9 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SMB

外形尺寸

长度 4.57 mm

宽度 3.81 mm

高度 2.41 mm

封装 SMB

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 汽车级

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

1SMB17CAT3G引脚图与封装图
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在线购买1SMB17CAT3G
型号 制造商 描述 购买
1SMB17CAT3G ON Semiconductor 安森美 600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器,1SMB 系列(双向) ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor 搜索库存
替代型号1SMB17CAT3G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 1SMB17CAT3G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SMB

当前型号

600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器,1SMB 系列(双向)ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

当前型号

型号: 1SMB17CAT3

品牌: 安森美

封装: DO-214

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1SMB17CAT3G和1SMB17CAT3的区别

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