锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

1N6267ARL4G

1N6267ARL4G

数据手册.pdf
ON Semiconductor 安森美 分立器件

1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器(单向)Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率:1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>16kV/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B,用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

Mosorb devices are designed to protect voltage sensitive components from high voltage, high-energy transients. They have excellent clamping capability, high surge capability, low zener impedance and fast response time. These devices are ’s exclusive, cost-effective, highly reliable Surmetic axial leaded package and are ideally-suited for use in communication systems, numerical controls, process controls, medical equipment, business machines, power supplies and many other industrial/consumer applications, to protect CMOS, MOS and Bipolar integrated circuits.

1N6267ARL4G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 6.80 V

额定功率 1.50 kW

无卤素状态 Halogen Free

击穿电压 6.80 V

电路数 1

钳位电压 10.5 V

最大反向电压(Vrrm) 5.8V

测试电流 10 mA

脉冲峰值功率 1500 W

最小反向击穿电压 6.45 V

击穿电压 6.45 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 -65℃ ~ 175℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-201AD

外形尺寸

长度 9.5 mm

宽度 5.3 mm

高度 5.3 mm

直径 5.30 mm

封装 DO-201AD

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

1N6267ARL4G引脚图与封装图
1N6267ARL4G引脚图

1N6267ARL4G引脚图

1N6267ARL4G封装图

1N6267ARL4G封装图

1N6267ARL4G封装焊盘图

1N6267ARL4G封装焊盘图

在线购买1N6267ARL4G
型号 制造商 描述 购买
1N6267ARL4G ON Semiconductor 安森美 1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器(单向) Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率:1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>16kV/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B,用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor 搜索库存
替代型号1N6267ARL4G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 1N6267ARL4G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: DO-201AD 6.8V 1.5kW

当前型号

1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器(单向)Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率:1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>16kV/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B,用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

当前型号

型号: 1N6267AG

品牌: 安森美

封装:

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  1N6267AG  TVS二极管, TVS, MOSORB系列, 单向, 5.8 V, 10.5 V, 轴向引线, 2 引脚

1N6267ARL4G和1N6267AG的区别

型号: 1.5KE6.8AG

品牌: 安森美

封装: 6.8V 1.5kW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  1.5KE6.8AG  TVS二极管, TVS, MOSORB 1.5KE系列, 单向, 5.8 V, 10.5 V, 轴向引线, 2 引脚

1N6267ARL4G和1.5KE6.8AG的区别

型号: 1.5KE6.8ARL4G

品牌: 安森美

封装: DO-201AD

类似代替

1500瓦Mosorb TM齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors

1N6267ARL4G和1.5KE6.8ARL4G的区别