199D336X9010D2B1E3中文资料参数规格
技术参数
电容 33.0 µF
容差 ±10 %
额定电压 10 V
封装参数
安装方式 Through Hole
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
199D336X9010D2B1E3引脚图与封装图
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在线购买199D336X9010D2B1E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 199D336X9010D2B1E3 | Vishay Semiconductor 威世 | CAP TANT 33uF 10V 10% RADIAL | 搜索库存 |
替代型号199D336X9010D2B1E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： 199D336X9010D2B1E3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： 33uF 10per | 当前型号 | CAP TANT 33uF 10V 10% RADIAL | 当前型号 |
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