199D106X5010B2B1E3中文资料参数规格
技术参数
电容 10 µF
容差 ±5 %
额定电压 10 V
封装参数
安装方式 Through Hole
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
199D106X5010B2B1E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 199D106X5010B2B1E3 | Vishay Semiconductor 威世 | Cap Tant Solid 10uF 10V 5% 5 X 7.62mm Radial 2.54mm T/R | 搜索库存 |