1N6274AG
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
1N6274AG中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 13.0 V
额定功率 1.50 kW
无卤素状态 Halogen Free
击穿电压 12.4 V
电路数 1
耗散功率 1500 W
钳位电压 18.2 V
最大反向电压（Vrrm） 11.1V
测试电流 1 mA
最大反向击穿电压 13.7 V
脉冲峰值功率 1500 W
最小反向击穿电压 12.4 V
击穿电压 12.4 V
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-201AD
外形尺寸
长度 9.5 mm
直径 5.30 mm
封装 DO-201AD
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
1N6274AG引脚图与封装图
暂无图片
在线购买1N6274AG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1N6274AG | ON Semiconductor 安森美 | 1500瓦Mosorb TM齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors | 搜索库存 |
替代型号1N6274AG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N6274AG 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： DO-201AD 13V 1.5kW | 当前型号 | 1500瓦Mosorb TM齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors | 当前型号 |
| 型号： 1N6274A 品牌： 安森美 封装： Case 13V 1.5kW | 完全替代 | 1500瓦MosorbE齐纳瞬态电压瞬态电压 1500 Watt MosorbE Zener Transient Voltage Transient Voltage | 1N6274AG和1N6274A的区别 |
| 型号： 1N6274ARL4G 品牌： 安森美 封装： Case | 类似代替 | 1500瓦Mosorb TM齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors | 1N6274AG和1N6274ARL4G的区别 |
| 型号： 1.5KE13A-E3/54 品牌： 威世 封装： 1.5KE | 功能相似 | TRANSZORB® 瞬态电压抑制器轴向单向 1500W，Vishay Semiconductor### 瞬态电压抑制器，Vishay Semiconductor | 1N6274AG和1.5KE13A-E3/54的区别 |