199D336X06R3C2B1E3中文资料参数规格
技术参数
电容 33.0 µF
容差 ±20 %
额定电压 6.3 V
封装参数
安装方式 Through Hole
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
199D336X06R3C2B1E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 199D336X06R3C2B1E3 | Vishay Semiconductor 威世 | CAP TANT 33uF 6.3V 20% RADIAL | 搜索库存 |
替代型号199D336X06R3C2B1E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： 199D336X06R3C2B1E3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： 33uF 20per | 当前型号 | CAP TANT 33uF 6.3V 20% RADIAL | 当前型号 |
| 型号： 199D336X06R3C1V1E3 品牌： 威世 封装： 33uF 20per | 完全替代 | CAP TANT 33uF 6.3V 20% RADIAL | 199D336X06R3C2B1E3和199D336X06R3C1V1E3的区别 |
| 型号： 199D336X96R3C1V1E3 品牌： 威世 封装： 33uF 6.3V 10per | 功能相似 | Cap Tant Solid 33uF 6.3V 10% 5.5 X 9.14mm Radial 2.54mm 125℃ Bulk | 199D336X06R3C2B1E3和199D336X96R3C1V1E3的区别 |