199D335X0035BXV1E3中文资料参数规格
技术参数
电容 3.30 µF
容差 ±20 %
额定电压 35 V
封装参数
安装方式 Through Hole
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
199D335X0035BXV1E3引脚图与封装图
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在线购买199D335X0035BXV1E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 199D335X0035BXV1E3 | Vishay Semiconductor 威世 | 199D 系列 3.3 uF ±20 % 35 V 轴向 固体电解质 钽电容 | 搜索库存 |
替代型号199D335X0035BXV1E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 199D335X0035BXV1E3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： 3.3uF 20per | 当前型号 | 199D 系列 3.3 uF ±20 % 35 V 轴向 固体电解质 钽电容 | 当前型号 |
| 型号： 199D335X9035BXV1E3 品牌： 威世 封装： 3.3uF 10per | 功能相似 | CAP TANT 3.3uF 35V 10% RADIAL | 199D335X0035BXV1E3和199D335X9035BXV1E3的区别 |