199D475X9025B6V1E3中文资料参数规格
技术参数
电容 4.70 µF
容差 ±10 %
额定电压 25 V
封装参数
安装方式 Through Hole
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
199D475X9025B6V1E3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买199D475X9025B6V1E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 199D475X9025B6V1E3 | Vishay Semiconductor 威世 | CAP TANT 4.7uF 25V 10% RADIAL | 搜索库存 |
替代型号199D475X9025B6V1E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 199D475X9025B6V1E3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： 4.7uF 10per | 当前型号 | CAP TANT 4.7uF 25V 10% RADIAL | 当前型号 |
| 型号： 199D475X0016B6V1E3 品牌： 威世 封装： 4.7uF 20per | 功能相似 | Cap Tant Solid 4.7uF 16V 20% 5 X 10.12mm Radial 5.08mm 125℃ Bulk | 199D475X9025B6V1E3和199D475X0016B6V1E3的区别 |
| 型号： 199D475X9020B6V1E3 品牌： 威世 封装： 4.7uF 10per | 功能相似 | CAP TANT 4.7uF 20V 10% RADIAL | 199D475X9025B6V1E3和199D475X9020B6V1E3的区别 |
| 型号： 199D475X0025B6V1E3 品牌： 威世 封装： 4.7uF 20per | 功能相似 | Cap Tant Solid 4.7uF 25V 20% 5 X 10.12mm Radial 5.08mm 125℃ Bulk | 199D475X9025B6V1E3和199D475X0025B6V1E3的区别 |