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199D106X0010B1V1E3

199D106X0010B1V1E3

数据手册.pdf
199D106X0010B1V1E3中文资料参数规格
技术参数

电容 10.0 µF

容差 ±20 %

额定电压 10 V

封装参数

安装方式 Through Hole

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

199D106X0010B1V1E3引脚图与封装图
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199D106X0010B1V1E3 Vishay Semiconductor 威世 Cap Tant Solid 10uF 10V 20% 5 X 7.62mm Radial 2.54mm 125℃ Bulk 搜索库存
替代型号199D106X0010B1V1E3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 199D106X0010B1V1E3

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: 10uF 20per

当前型号

Cap Tant Solid 10uF 10V 20% 5 X 7.62mm Radial 2.54mm 125℃ Bulk

当前型号

型号: 199D106X0010B2A1E3

品牌: 威世

封装: 10uF 20per

完全替代

CAP TANT 10uF 10V 20% RADIAL

199D106X0010B1V1E3和199D106X0010B2A1E3的区别

型号: 199D106X0010B2B1E3

品牌: 威世

封装: 10uF 20per

完全替代

CAP TANT 10uF 10V 20% RADIAL

199D106X0010B1V1E3和199D106X0010B2B1E3的区别

型号: 199D106X9010B1V1E3

品牌: 威世

封装: Radial 10uF 10V 10per

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