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199D685X9016B2B1E3

199D685X9016B2B1E3

数据手册.pdf
199D685X9016B2B1E3中文资料参数规格
技术参数

电容 6.8 µF

容差 ±10 %

额定电压 16 V

封装参数

安装方式 Through Hole

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

199D685X9016B2B1E3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
199D685X9016B2B1E3 Vishay Semiconductor 威世 Cap Tant Solid 6.8uF 16V 10% 5 X 7.62mm Radial 2.54mm 125℃ T/R 搜索库存
替代型号199D685X9016B2B1E3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 199D685X9016B2B1E3

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: 6.8uF 10per

当前型号

Cap Tant Solid 6.8uF 16V 10% 5 X 7.62mm Radial 2.54mm 125℃ T/R

当前型号

型号: 199D685X9016B1V1E3

品牌: 威世

封装: Radial 6.8uF 16V 10per

完全替代

16v 6.8uf 10 % 容差 钽电容

199D685X9016B2B1E3和199D685X9016B1V1E3的区别

型号: 199D685X0016B2B1E3

品牌: 威世

封装: Radial 6.8uF 20per

功能相似

Cap Tant Solid 6.8uF 16V 20% 5 X 7.62mm Radial 2.54mm 125℃ T/R

199D685X9016B2B1E3和199D685X0016B2B1E3的区别

型号: 199D685X9010B2B1E3

品牌: 威世

封装: 6.8uF 10per

功能相似

CAP TANT 6.8uF 10V 10% RADIAL

199D685X9016B2B1E3和199D685X9010B2B1E3的区别