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1.5SMC13AT3G

1.5SMC13AT3G

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ON Semiconductor 安森美 分立器件

1500W 齐纳瞬态电压抑制器(单向)SMC 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率 − 1500W @ 1.0ms 3 类 ESD 等级> 16kV/人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B,用于隔离回路保护 指定了最大温度系数 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

**1500W Zener Transient Voltage Suppressor Unidirectional**

The SMC series is designed to protect voltage sensitive components from high voltage, high energy transients. They have excellent clamping capability, high surge capability, low zener impedance and fast response time.


欧时:
### 1500W 齐纳瞬态电压抑制器(单向)SMC 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率 − 1500W @ 1.0ms 3 类 ESD 等级> 16kV/人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B,用于隔离回路保护 指定了最大温度系数 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor


贸泽:
TVS Diodes - Transient Voltage Suppressors 13V 1500W Unidirectional


艾睿:
Diode TVS Single Uni-Dir 11.1V 1.5KW 2-Pin SMC T/R


Allied Electronics:
1.5SMC13AT3G, Uni-Directional TVS Diode, 1500W, 2-Pin SMC


安富利:
Diode TVS Single Uni-Dir 11.1V 1.5KW 2-Pin SMC T/R


富昌:
1.5SMC 系列 13.7 V 1500 W 单向 齐纳瞬态电压抑制二极管


Chip1Stop:
Diode TVS Single Uni-Dir 11.1V 1.5KW 2-Pin SMC T/R


Verical:
Diode TVS Single Uni-Dir 11.1V 1.5KW Automotive 2-Pin SMC T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  1.5SMC13AT3G  TVS Diode, 1.5SMC Series, Unidirectional, 11.1 V, 18.2 V, DO-214AB, 2 Pins


Win Source:
1500 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors Unidirectional*


1.5SMC13AT3G中文资料参数规格
技术参数

无卤素状态 Halogen Free

击穿电压 12.4 V

电路数 1

耗散功率 1.5 kW

钳位电压 18.2 V

最大反向电压(Vrrm) 11.1V

测试电流 1 mA

最大反向击穿电压 13.7 V

脉冲峰值功率 1500 W

最小反向击穿电压 12.4 V

击穿电压 12.4 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 -65℃ ~ 150℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SMC

外形尺寸

长度 7.11 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.62 mm

封装 SMC

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 汽车级

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

1.5SMC13AT3G引脚图与封装图
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在线购买1.5SMC13AT3G
型号 制造商 描述 购买
1.5SMC13AT3G ON Semiconductor 安森美 1500W 齐纳瞬态电压抑制器(单向) SMC 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率 − 1500W @ 1.0ms 3 类 ESD 等级> 16kV/人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B,用于隔离回路保护 指定了最大温度系数 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor 搜索库存
替代型号1.5SMC13AT3G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 1.5SMC13AT3G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SMC

当前型号

1500W 齐纳瞬态电压抑制器(单向)SMC 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率 − 1500W @ 1.0ms 3 类 ESD 等级> 16kV/人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B,用于隔离回路保护 指定了最大温度系数 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

当前型号

型号: 1.5SMC13AT3

品牌: 安森美

封装: DO-214AB

完全替代

1500瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors

1.5SMC13AT3G和1.5SMC13AT3的区别

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品牌: 意法半导体

封装: SMC 12V 1.5kW

功能相似

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型号: SMCJ11A

品牌: 力特

封装: DO-214AB 11V 1.5kW

功能相似

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