199D105X9050B6V1E3中文资料参数规格
技术参数
电容 1 µF
容差 ±10 %
工作温度Max 125 ℃
额定电压 50 V
封装参数
安装方式 Through Hole
外形尺寸
高度 10.12 mm
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
199D105X9050B6V1E3引脚图与封装图
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在线购买199D105X9050B6V1E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 199D105X9050B6V1E3 | Vishay Semiconductor 威世 | 199D 系列 1 uF ±10 % 50 V 轴向 固体电解质 钽电容 | 搜索库存 |
替代型号199D105X9050B6V1E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 199D105X9050B6V1E3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： 1uF 10per | 当前型号 | 199D 系列 1 uF ±10 % 50 V 轴向 固体电解质 钽电容 | 当前型号 |
| 型号： 199D105X0050B6V1E3 品牌： 威世 封装： 1uF 20per | 功能相似 | CAP TANT 1uF 50V 20% RADIAL | 199D105X9050B6V1E3和199D105X0050B6V1E3的区别 |