199D335X9025B2B1E3中文资料参数规格
技术参数
电容 3.30 µF
容差 ±10 %
额定电压 25 V
封装参数
安装方式 Through Hole
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
199D335X9025B2B1E3引脚图与封装图
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在线购买199D335X9025B2B1E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 199D335X9025B2B1E3 | Vishay Semiconductor 威世 | Cap Tant Solid 3.3uF 25V 10% 5 X 7.62mm Radial 2.54mm 125℃ T/R | 搜索库存 |
替代型号199D335X9025B2B1E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： 199D335X9025B2B1E3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： 3.3uF 10per | 当前型号 | Cap Tant Solid 3.3uF 25V 10% 5 X 7.62mm Radial 2.54mm 125℃ T/R | 当前型号 |
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| 型号： 199D335X9025B1V1E3 品牌： 威世 封装： 3.3F 25V 10per | 功能相似 | VISHAY 199D335X9025B1V1E3 钽电容, 3.3uF 25V 10% | 199D335X9025B2B1E3和199D335X9025B1V1E3的区别 |
| 型号： 199D335X9020B2B1E3 品牌： 威世 封装： Radial 3.3uF 10per | 功能相似 | CAP TANT 3.3uF 20V 10% RADIAL | 199D335X9025B2B1E3和199D335X9020B2B1E3的区别 |