199D334X0050A1V1E3中文资料参数规格
技术参数
电容 330 nF
容差 ±20 %
额定电压 50 V
封装参数
安装方式 Through Hole
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
199D334X0050A1V1E3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买199D334X0050A1V1E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 199D334X0050A1V1E3 | Vishay Semiconductor 威世 | Cap Tant Solid 0.33uF 50V 20% 4.4 X 7.11mm Radial 2.54mm 125℃ Bulk | 搜索库存 |
替代型号199D334X0050A1V1E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 199D334X0050A1V1E3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： 330nF 20per | 当前型号 | Cap Tant Solid 0.33uF 50V 20% 4.4 X 7.11mm Radial 2.54mm 125℃ Bulk | 当前型号 |
| 型号： 199D334X0035A1V1E3 品牌： 威世 封装： 330nF 20per | 功能相似 | Cap Tant Solid 0.33uF 35V 20% 4.4 X 7.11mm Radial 2.54mm 125℃ Bulk | 199D334X0050A1V1E3和199D334X0035A1V1E3的区别 |
| 型号： 199D334X0035A2B1E3 品牌： 威世 封装： 330nF 20per | 功能相似 | Cap Tant Solid 0.33uF 35V 20% 4.4 X 7.11mm Radial 2.54mm 125℃ T/R | 199D334X0050A1V1E3和199D334X0035A2B1E3的区别 |