![199D105X9050B2B1E3](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_459/chanpintu/199d105x9050b2b1e3-gY7hqOJi-8ZlmkgEXq.png)
199D105X9050B2B1E3中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
电容 1.00 µF
容差 ±10 %
额定电压 50 V
封装参数
安装方式 Through Hole
物理参数
介质材料 Tantalum
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
199D105X9050B2B1E3引脚图与封装图
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在线购买199D105X9050B2B1E3
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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199D105X9050B2B1E3 | Vishay Semiconductor 威世 | 199D 系列 1 uF ±10 % 50 V 径向 固体电解质钽电容 | 搜索库存 |
替代型号199D105X9050B2B1E3
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 199D105X9050B2B1E3 品牌: Vishay Semiconductor 威世 封装: 1uF 10per 50V | 当前型号 | 199D 系列 1 uF ±10 % 50 V 径向 固体电解质钽电容 | 当前型号 | |
型号: 199D105X9050B1V1E3 品牌: 威世 封装: 1uF 50V 10per | 类似代替 | VISHAY 199D105X9050B1V1E3 钽电容, 1uF, 50V, 径向引线 | 199D105X9050B2B1E3和199D105X9050B1V1E3的区别 | |
型号: 199D105X0050B2B1E3 品牌: 威世 封装: 1uF 20per | 功能相似 | CAP TANT 1uF 50V 20% RADIAL | 199D105X9050B2B1E3和199D105X0050B2B1E3的区别 |