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199D105X0050B2B1E3

199D105X0050B2B1E3

数据手册.pdf
199D105X0050B2B1E3中文资料参数规格
技术参数

电容 1.00 µF

容差 ±20 %

额定电压 50 V

封装参数

安装方式 Through Hole

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

199D105X0050B2B1E3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
199D105X0050B2B1E3 Vishay Semiconductor 威世 CAP TANT 1uF 50V 20% RADIAL 搜索库存
替代型号199D105X0050B2B1E3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 199D105X0050B2B1E3

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: 1uF 20per

当前型号

CAP TANT 1uF 50V 20% RADIAL

当前型号

型号: 199D105X0050B1V1E3

品牌: 威世

封装: 1uF 20per 50V

完全替代

CAP TANT 1uF 50V 20% RADIAL

199D105X0050B2B1E3和199D105X0050B1V1E3的区别

型号: 199D105X9050B1V1E3

品牌: 威世

封装: 1uF 50V 10per

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型号: 199D105X9050B2B1E3

品牌: 威世

封装: 1uF 10per 50V

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