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1SMA40AT3G

1SMA40AT3G

数据手册.pdf
ON Semiconductor 安森美 分立器件

400W 齐纳瞬态电压抑制器(单向)齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力,具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

**400W Zener Transient Voltage Suppressor Unidirectional**

The SMA series of Zener Transient Voltage Suppressors is designed to protect voltage sensitive components from damage caused by high voltage, high energy transients. They have excellent clamping capability with a high 400W surge capability and feature low zener impedance and fast response time.


欧时:
### 400W 齐纳瞬态电压抑制器(单向)齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力,具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor


艾睿:
Diode TVS Single Uni-Dir 40V 400W 2-Pin SMA T/R


Allied Electronics:
1SMA40AT3G, Uni-Directional TVS Diode, 400W, 2-Pin SMA


安富利:
Diode TVS Single Uni-Dir 40V 400W 2-Pin SMA T/R


富昌:
1SMA 系列 400 W 44.4 至 19.1 V 表面贴装 单向 TVS 二极管 - DO-214AC


Chip1Stop:
Diode TVS Single Uni-Dir 40V 400W Automotive 2-Pin SMA T/R


Verical:
Diode TVS Single Uni-Dir 40V 400W 2-Pin SMA T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  1SMA40AT3G  TVS DIODE, 400W, 40V, UNIDIR, DO-214AC


罗切斯特:
Diode TVS Single Uni-Dir 40V 400W Automotive 2-Pin SMA T/R


Win Source:
TVS DIODE 40VWM 64.5VC SMA


1SMA40AT3G中文资料参数规格
技术参数

额定功率 400 W

无卤素状态 Halogen Free

击穿电压 44.4 V

电路数 1

针脚数 2

钳位电压 64.5 V

最大反向电压(Vrrm) 40V

测试电流 1 mA

最大反向击穿电压 49.1 V

脉冲峰值功率 400 W

最小反向击穿电压 44.4 V

击穿电压 44.4 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 -65℃ ~ 150℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SMA

外形尺寸

长度 4.57 mm

宽度 2.92 mm

高度 2.05 mm

封装 SMA

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 汽车级

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

1SMA40AT3G引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
1SMA40AT3G ON Semiconductor 安森美 400W 齐纳瞬态电压抑制器(单向) 齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力,具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor 搜索库存
替代型号1SMA40AT3G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 1SMA40AT3G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SMA

当前型号

400W 齐纳瞬态电压抑制器(单向)齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力,具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

当前型号

型号: SMAJ40A

品牌: 意法半导体

封装:

类似代替

Diode TVS Single Uni-Dir 40V 400W 2Pin SMA

1SMA40AT3G和SMAJ40A的区别

型号: 1SMA40AT3

品牌: 安森美

封装:

类似代替

400瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 400 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors

1SMA40AT3G和1SMA40AT3的区别

型号: SMAJ30A-TR

品牌: 意法半导体

封装: SMD 30V 400W

功能相似

STMICROELECTRONICS  SMAJ30A-TR  TVS二极管, TVS, Transil SMAJ系列, 单向, 30 V, 48.4 V, SMD, 2 引脚

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