199D104X0035A6B1E3中文资料参数规格
技术参数
电容 0.1 µF
容差 ±20 %
额定电压 35 V
封装参数
安装方式 Through Hole
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
199D104X0035A6B1E3引脚图与封装图
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在线购买199D104X0035A6B1E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 199D104X0035A6B1E3 | Vishay Semiconductor 威世 | Cap Tant Solid 0.1uF 35V 20% 4.4 X 9.61mm Radial 5.08mm 125℃ T/R | 搜索库存 |
替代型号199D104X0035A6B1E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 199D104X0035A6B1E3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： 100nF 20per | 当前型号 | Cap Tant Solid 0.1uF 35V 20% 4.4 X 9.61mm Radial 5.08mm 125℃ T/R | 当前型号 |
| 型号： 199D104X0050A6V1E3 品牌： 威世 封装： 100uF 20per | 功能相似 | Cap Tant Solid 0.1uF 50V 20% 4.4 X 9.61mm Radial 5.08mm 125℃ Bulk | 199D104X0035A6B1E3和199D104X0050A6V1E3的区别 |
| 型号： 199D104X9050A6V1E3 品牌： 威世 封装： 100uF 10per | 功能相似 | CAP TANT 0.1uF 50V 10% RADIAL | 199D104X0035A6B1E3和199D104X9050A6V1E3的区别 |