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1SMB51CAT3G

1SMB51CAT3G

数据手册.pdf
ON Semiconductor 安森美 分立器件

600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器,1SMB 系列(双向)ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

82.4V Clamp 7.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount SMB


得捷:
TVS DIODE 51VWM 82.4VC SMB


欧时:
### 600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器,1SMB 系列(双向)ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor


贸泽:
TVS Diodes - Transient Voltage Suppressors 51V 600W Bidirectional


艾睿:
Diode TVS Single Bi-Dir 51V 600W 2-Pin SMB T/R


Allied Electronics:
1SMB51CAT3G, Bi-Directional TVS Diode, 600W, 2-Pin SMB


Chip1Stop:
Diode TVS Single Bi-Dir 51V 600W Automotive 2-Pin SMB T/R


Verical:
Diode TVS Single Bi-Dir 51V 600W Automotive 2-Pin SMB T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  1SMB51CAT3G  TVS Diode, 1SMB Series, Bidirectional, 51 V, 82.4 V, DO-214AA, 2 Pins


罗切斯特:
Diode TVS Single Bi-Dir 51V 600W Automotive 2-Pin SMB T/R


Win Source:
TVS DIODE 51VWM 82.4VC SMB


1SMB51CAT3G中文资料参数规格
技术参数

电容 175 pF

无卤素状态 Halogen Free

击穿电压 56.7 V

电路数 1

耗散功率 600 W

钳位电压 82.4 V

最大反向电压(Vrrm) 51V

测试电流 1 mA

最大反向击穿电压 62.7 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 56.7 V

击穿电压 56.7 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 -65℃ ~ 150℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-214AA

外形尺寸

长度 4.57 mm

宽度 3.95 mm

高度 2.41 mm

封装 DO-214AA

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 汽车级

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

1SMB51CAT3G引脚图与封装图
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在线购买1SMB51CAT3G
型号 制造商 描述 购买
1SMB51CAT3G ON Semiconductor 安森美 600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器,1SMB 系列(双向) ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor 搜索库存
替代型号1SMB51CAT3G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 1SMB51CAT3G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SMB

当前型号

600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器,1SMB 系列(双向)ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

当前型号

型号: 1SMB51CAT3

品牌: 安森美

封装: DO-214AA

完全替代

瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors

1SMB51CAT3G和1SMB51CAT3的区别

型号: SMBJ36A

品牌: 力特

封装: DO-214 35V 600W

功能相似

LITTELFUSE  SMBJ36A  TVS二极管, TVS, SMBJ系列, 单向, 36 V, 58.1 V, DO-214AA, 2 引脚

1SMB51CAT3G和SMBJ36A的区别

型号: SMBJ43CA

品牌: 伯恩斯

封装: SMB

功能相似

SMBJ Series Transient Voltage Suppressor Diodes, 600W### 瞬态电压抑制器,Bourns Electronics

1SMB51CAT3G和SMBJ43CA的区别