1SMB18CAT3G
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
1SMB18CAT3G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 18.0 V
额定电流 20.5 A
电容 465 pF
额定功率 600 W
无卤素状态 Halogen Free
击穿电压 20 V
电路数 1
耗散功率 600 W
钳位电压 29.2 V
最大反向电压（Vrrm） 18V
测试电流 1 mA
最大反向击穿电压 22.1 V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 20 V
击穿电压 20 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
工作结温 -65℃ ~ 150℃
工作结温Max 150 ℃
电源电压 18 VDC
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SMB
外形尺寸
长度 4.57 mm
宽度 3.81 mm
高度 2.41 mm
封装 SMB
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
1SMB18CAT3G引脚图与封装图
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在线购买1SMB18CAT3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1SMB18CAT3G | ON Semiconductor 安森美 | 600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器，1SMB 系列（双向） ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor | 搜索库存 |
替代型号1SMB18CAT3G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1SMB18CAT3G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SMB 18V 600W | 当前型号 | 600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器，1SMB 系列（双向）ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor | 当前型号 |
| 型号： 1SMB18CAT3 品牌： 安森美 封装： DO-214AA/SMB-18v 18V 600W | 完全替代 | 1SMB18CAT3 瞬态抑制二极管TVS/ESD 18V 20.5A 3W DO-214AA/SMB-18v 标记LTC | 1SMB18CAT3G和1SMB18CAT3的区别 |
| 型号： SM6T27CA 品牌： 意法半导体 封装： SMB 27V 600W | 功能相似 | Transil™ TVS SMT 双向 600W，SM6T 系列，STMicroelectronics ### 瞬态电压抑制器，STMicroelectronics | 1SMB18CAT3G和SM6T27CA的区别 |
| 型号： SMBJ18CA 品牌： 飞兆/仙童 封装： DO-214 18V 600W | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR SMBJ18CA TVS二极管, TVS, SMBJ系列, 双向, 18 V, 29.2 V, DO-214AA, 2 引脚 | 1SMB18CAT3G和SMBJ18CA的区别 |