1SMB22CAT3G
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
1SMB22CAT3G中文资料参数规格
技术参数
电容 390 pF
额定功率 600 W
无卤素状态 Halogen Free
击穿电压 24.4 V
电路数 1
耗散功率 600 W
钳位电压 35.5 V
最大反向电压（Vrrm） 22V
测试电流 1 mA
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 24.4 V
击穿电压 24.4 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SMB
外形尺寸
长度 4.57 mm
宽度 3.82 mm
高度 2.41 mm
封装 SMB
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
1SMB22CAT3G引脚图与封装图
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在线购买1SMB22CAT3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1SMB22CAT3G | ON Semiconductor 安森美 | 600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器，1SMB 系列（双向） ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor | 搜索库存 |
替代型号1SMB22CAT3G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1SMB22CAT3G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SMB | 当前型号 | 600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器，1SMB 系列（双向）ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor | 当前型号 |
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