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1SMA28AT3G

1SMA28AT3G

数据手册.pdf
ON Semiconductor 安森美 分立器件

400W 齐纳瞬态电压抑制器(单向)齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力,具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

**400W Zener Transient Voltage Suppressor Unidirectional**

The SMA series of Zener Transient Voltage Suppressors is designed to protect voltage sensitive components from damage caused by high voltage, high energy transients. They have excellent clamping capability with a high 400W surge capability and feature low zener impedance and fast response time.


艾睿:
Diode TVS Single Uni-Dir 28V 400W 2-Pin SMA T/R


Allied Electronics:
1SMA28AT3G, Uni-Directional TVS Diode, 400W, 2-Pin SMA


安富利:
Diode TVS Single Uni-Dir 28V 400W 2-Pin SMA T/R


富昌:
1SMA28AT3G 系列 45.4 V 400W 电源稳压 瞬态电压抑制器 -DO-214AC


Chip1Stop:
Diode TVS Single Uni-Dir 28V 400W Automotive 2-Pin SMA T/R


Verical:
TVS Diode Single Uni-Dir 28V 400W Automotive 2-Pin SMA T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  1SMA28AT3G  TVS Diode, 1SMA Series, Unidirectional, 28 V, 45.4 V, DO-214AC, 2 Pins


Win Source:
TVS DIODE 28VWM 45.4VC SMA


1SMA28AT3G中文资料参数规格
技术参数

无卤素状态 Halogen Free

击穿电压 32.8 V

电路数 1

针脚数 2

钳位电压 45.4 V

最大反向电压(Vrrm) 28V

测试电流 1 mA

最大反向击穿电压 34.4 V

脉冲峰值功率 400 W

最小反向击穿电压 31.1 V

击穿电压 31.1 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 -65℃ ~ 150℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SMA

外形尺寸

长度 4.57 mm

宽度 2.92 mm

高度 2.05 mm

封装 SMA

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

1SMA28AT3G引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
1SMA28AT3G ON Semiconductor 安森美 400W 齐纳瞬态电压抑制器(单向) 齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力,具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor 搜索库存
替代型号1SMA28AT3G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 1SMA28AT3G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SMA

当前型号

400W 齐纳瞬态电压抑制器(单向)齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力,具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

当前型号

型号: SZ1SMA28AT3G

品牌: 安森美

封装: SMA

完全替代

SMA 28V 400W

1SMA28AT3G和SZ1SMA28AT3G的区别

型号: 1SMA28CAT3G

品牌: 安森美

封装: SMA

类似代替

400W 齐纳瞬态电压抑制器(双向)### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

1SMA28AT3G和1SMA28CAT3G的区别