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1SMB8.0AT3G

1SMB8.0AT3G

数据手册.pdf
ON Semiconductor 安森美 分立器件

600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors

13.6V Clamp 44.1A Ipp Tvs Diode Surface Mount SMB


立创商城:
Vrwm:8V 600W


得捷:
TVS DIODE 8VWM 13.6VC SMB


艾睿:
Diode TVS Single Uni-Dir 8V 600W 2-Pin SMB T/R


Chip1Stop:
Diode TVS Single Uni-Dir 8V 600W 2-Pin SMB T/R


Verical:
Diode TVS Single Uni-Dir 8V 600W 2-Pin SMB T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  1SMB8.0AT3G  TVS Diode, 1SMB Series, Unidirectional, 8 V, 13.6 V, DO-214AA, 2 Pins


1SMB8.0AT3G中文资料参数规格
技术参数

工作电压 8 V

无卤素状态 Halogen Free

击穿电压 8.89 V

电路数 1

钳位电压 13.6 V

最大反向电压(Vrrm) 8V

测试电流 1 mA

最大反向击穿电压 9.83 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 8.89 V

击穿电压 8.89 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 -65℃ ~ 150℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-214AA

外形尺寸

长度 4.6 mm

宽度 3.95 mm

高度 2.2 mm

封装 DO-214AA

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

1SMB8.0AT3G引脚图与封装图
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在线购买1SMB8.0AT3G
型号 制造商 描述 购买
1SMB8.0AT3G ON Semiconductor 安森美 600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors 搜索库存
替代型号1SMB8.0AT3G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 1SMB8.0AT3G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SMB

当前型号

600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors

当前型号

型号: 1SMB8.0AT3

品牌: 安森美

封装: DO-214

完全替代

600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors

1SMB8.0AT3G和1SMB8.0AT3的区别

型号: SMBJ8.0A

品牌: 力特

封装: SMB 8V 600W

类似代替

LITTELFUSE  SMBJ8.0A  二极管, TVS, 8V

1SMB8.0AT3G和SMBJ8.0A的区别

型号: SMBJ8V0A

品牌: 安森美

封装: DO-214AA

类似代替

瞬态电压抑制器 SMT 单向 600W,SMBJ 系列,Fairchild Semiconductor玻璃纤维钝化接合 600W 峰值脉冲功率能力 极佳的夹持能力 低增量抗浪涌性 快速响应时间 UL 认证 #E258596 UL94V-0 易燃性等级

1SMB8.0AT3G和SMBJ8V0A的区别