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1SMA15AT3G

1SMA15AT3G

数据手册.pdf
ON Semiconductor 安森美 分立器件

400W 齐纳瞬态电压抑制器(单向)齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力,具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

**400W Zener Transient Voltage Suppressor Unidirectional**

The SMA series of Zener Transient Voltage Suppressors is designed to protect voltage sensitive components from damage caused by high voltage, high energy transients. They have excellent clamping capability with a high 400W surge capability and feature low zener impedance and fast response time.


得捷:
TVS DIODE 15VWM 24.4VC SMA


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单向 Vrwm:15V 停产


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Diode TVS Single Uni-Dir 15V 400W 2-Pin SMA T/R


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1SMA15AT3G; Uni-Directional TVS Diode; 400W; 2-Pin SMA


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1SMA 系列 400 W 15 V 单向 表面贴装 TVS 二极管 - DO-214AC


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Diode TVS Single Uni-Dir 15V 400W Automotive 2-Pin SMA T/R


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TVS Diode Single Uni-Dir 15V 400W Automotive 2-Pin SMA T/R


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# ON SEMICONDUCTOR  1SMA15AT3G  TVS Diode, 1SMA Series, Unidirectional, 15 V, 24.4 V, DO-214AC, 2 Pins


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Diode TVS Single Uni-Dir 15V 400W Automotive 2-Pin SMA T/R


Win Source:
TVS DIODE 15VWM 24.4VC SMA


1SMA15AT3G中文资料参数规格
技术参数

工作电压 15 V

无卤素状态 Halogen Free

击穿电压 16.7 V

电路数 1

钳位电压 24.4 V

最大反向电压(Vrrm) 15V

测试电流 1 mA

最大反向击穿电压 18.5 V

脉冲峰值功率 400 W

最小反向击穿电压 16.7 V

击穿电压 16.7 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 -65℃ ~ 150℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SMA

外形尺寸

长度 4.57 mm

宽度 2.92 mm

高度 2 mm

封装 SMA

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 汽车级

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

1SMA15AT3G引脚图与封装图
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在线购买1SMA15AT3G
型号 制造商 描述 购买
1SMA15AT3G ON Semiconductor 安森美 400W 齐纳瞬态电压抑制器(单向) 齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力,具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor 搜索库存
替代型号1SMA15AT3G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 1SMA15AT3G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SMA

当前型号

400W 齐纳瞬态电压抑制器(单向)齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力,具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

当前型号

型号: 1SMA15AT3

品牌: 安森美

封装: DO-214AC

完全替代

400瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 400 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors

1SMA15AT3G和1SMA15AT3的区别

型号: SMAJ15CA

品牌: 力特

封装: DO-214AC 15V 400W

类似代替

LITTELFUSE  SMAJ15CA  TVS二极管, TVS, SMAJ系列, 双向, 15 V, 24.4 V, DO-214AC, 2 引脚

1SMA15AT3G和SMAJ15CA的区别

型号: 1SMA6.5AT3G

品牌: 安森美

封装: SMA

类似代替

400W 齐纳瞬态电压抑制器(单向)齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力,具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

1SMA15AT3G和1SMA6.5AT3G的区别