额定电压DC 16.0 V
额定功率 600 W
无卤素状态 Halogen Free
击穿电压 18.7 V
电路数 1
钳位电压 26 V
最大反向电压(Vrrm) 16V
测试电流 1 mA
最大反向击穿电压 19.7 V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 17.8 V
击穿电压 17.8 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SMB
长度 4.57 mm
宽度 3.82 mm
高度 2.41 mm
封装 SMB
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 汽车级
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
1SMB16CAT3G引脚图
1SMB16CAT3G封装图
1SMB16CAT3G封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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1SMB16CAT3G | ON Semiconductor 安森美 | 600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器,1SMB 系列(双向) ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 1SMB16CAT3G 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: SMB 16V 600W | 当前型号 | 600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器,1SMB 系列(双向)ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor | 当前型号 | |
型号: 1SMB14CAT3G 品牌: 安森美 封装: SMB | 类似代替 | 600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器,1SMB 系列(双向)ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor | 1SMB16CAT3G和1SMB14CAT3G的区别 | |
型号: 1SMB16CAT3 品牌: 安森美 封装: DO-214AA 16V 600W | 类似代替 | 瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors | 1SMB16CAT3G和1SMB16CAT3的区别 | |
型号: SMBJ14CA 品牌: 力特 封装: SMB 14V 600W | 功能相似 | LITTELFUSE SMBJ14CA 二极管, TVS, 600W, 14V, DO-214AA | 1SMB16CAT3G和SMBJ14CA的区别 |