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1SMB40AT3G

1SMB40AT3G

数据手册.pdf
ON Semiconductor 安森美 分立器件

ON SEMICONDUCTOR  1SMB40AT3G.  二极管, TVS, 600W, 40V, SMB

64.5V Clamp 9.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount SMB


得捷:
TVS DIODE 40VWM 64.5VC SMB


欧时:
### 600W 齐纳表面安装瞬态电压抑制器,1SMB 系列(单向)![http://china.rs-online.com/largeimages/L229576-01.gif]http://china.rs-online.com/largeimages/L229576-01.gif![http://china.rs-online.com/largeimages/LD229576-01.gif]http://china.rs-online.com/largeimages/LD229576-01.gif ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor


e络盟:
ON SEMICONDUCTOR  1SMB40AT3G.  二极管, TVS, 600W, 40V, SMB


艾睿:
Diode TVS Single Uni-Dir 40V 600W 2-Pin SMB T/R


Allied Electronics:
DIODE, ZENER, TVS, UNI-DIR, 600W 40V, SMB PKG


富昌:
1SMB 系列 49.1 V 600 W 单向 大功率 齐纳 瞬态电压抑制器


Chip1Stop:
Diode TVS Single Uni-Dir 40V 600W 2-Pin SMB T/R


Verical:
Diode TVS Single Uni-Dir 40V 600W 2-Pin SMB T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  1SMB40AT3G  TVS Diode, 1SMB Series, Unidirectional, 40 V, 64.5 V, DO-214AA, 2 Pins


罗切斯特:
Diode TVS Single Uni-Dir 40V 600W 2-Pin SMB T/R


Win Source:
TVS DIODE 40VWM 64.5VC SMB


1SMB40AT3G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

工作电压 40 V

电容 430 pF

额定功率 600 W

无卤素状态 Halogen Free

击穿电压 44.4 V

电路数 1

针脚数 2

耗散功率 600 W

钳位电压 64.5 V

最大反向电压(Vrrm) 40V

测试电流 1 mA

最大反向击穿电压 49.1 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 44.4 V

击穿电压 44.4 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 -65℃ ~ 150℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SMB

外形尺寸

长度 4.6 mm

宽度 3.56 mm

高度 2.2 mm

封装 SMB

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

1SMB40AT3G引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
1SMB40AT3G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  1SMB40AT3G.  二极管, TVS, 600W, 40V, SMB 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 1SMB40AT3G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SMB 50V 600W

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  1SMB40AT3G.  二极管, TVS, 600W, 40V, SMB

当前型号

型号: 1SMB40CAT3G

品牌: 安森美

封装: SMB

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