1SMB70AT3G
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
1SMB70AT3G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 7.00 V
工作电压 70 V
额定功率 600 W
无卤素状态 Halogen Free
击穿电压 81.9 V
电路数 1
钳位电压 113 V
最大反向电压（Vrrm） 70V
测试电流 1 mA
最大反向击穿电压 86 V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 77.8 V
击穿电压 77.8 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
工作结温 -65℃ ~ 150℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SMB
外形尺寸
长度 4.6 mm
宽度 3.95 mm
高度 2.45 mm
封装 SMB
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
1SMB70AT3G引脚图与封装图
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在线购买1SMB70AT3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1SMB70AT3G | ON Semiconductor 安森美 | 600W 齐纳表面安装瞬态电压抑制器，1SMB 系列（单向） ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor | 搜索库存 |
替代型号1SMB70AT3G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1SMB70AT3G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SMB 7V 600W | 当前型号 | 600W 齐纳表面安装瞬态电压抑制器，1SMB 系列（单向）### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor | 当前型号 |
| 型号： SMBJ70A 品牌： 力特 封装： DO-214AA 7V 600W | 类似代替 | 硅雪崩二极管 - 600W表面贴装瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 600W Surface Mount Transient Voltage Suppressors | 1SMB70AT3G和SMBJ70A的区别 |
| 型号： SMBJ70A-TR 品牌： 意法半导体 封装： SMD 70V 600W | 功能相似 | STMICROELECTRONICS SMBJ70A-TR TVS二极管, TVS, Transil SMBJ系列, 单向, 70 V, 113 V, SMD, 2 引脚 | 1SMB70AT3G和SMBJ70A-TR的区别 |