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1SMB13AT3G

1SMB13AT3G

数据手册.pdf
ON Semiconductor 安森美 分立器件

1SMB 系列 15.9 V 600 W 双向 功率 齐纳 瞬态电压抑制器

极性Polarization| 单向 Unidirectional \---|--- 反向关断电压/工作电压VRWMReverse Standoff Voltage| 13V 反向击穿电压VBRBreakdown Voltage| 15.15V 峰值脉冲耗散功率PPPMPeak Pulse Power Dissipation| 600W 峰值脉冲电流IPPmPeak Forward Surge Current| 27.9A 额定耗散功率PdPower dissipation| 3W Description & Applications| 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors;Features • Working Peak Reverse Voltage Range − 5.0 V to 170 V • Standard Zener Breakdown Voltage Range − 6.7 V to 199 V • Peak Power − 600 W @ 1.0 ms • ESD Rating of Class 3 >16 kV per Human Body Model • Maximum Clamp Voltage @ Peak Pulse Current • Low Leakage < 5.0 uA Above 10 V • UL 497B for Isolated Loop Circuit Protection • Response Time is Typically < 1.0 ns • Pb−Free Packages are Available 描述与应用| 600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器;特性 •工作峰值反向电压范围 - 5.0 V至170 V •标准齐纳击穿电压范围 - 6.7 V至199 V •峰值电力 - 600 W@1.0ms •每人体模型ESD额定值的类3(>16千伏) •最大钳位电压峰值脉冲电流 •低漏高于10 V<5.0 UA •UL497B用于隔离回路的电路保护 •响应时间通常<1.0ns •无铅包可用

1SMB13AT3G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 13.0 V

电容 1160 pF

额定功率 600 W

无卤素状态 Halogen Free

击穿电压 14.4 V

电路数 1

耗散功率 600 W

钳位电压 21.5 V

最大反向电压(Vrrm) 13V

测试电流 1 mA

最大反向击穿电压 15.9 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 14.4 V

击穿电压 14.4 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 -65℃ ~ 150℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SMB

外形尺寸

长度 4.6 mm

宽度 3.95 mm

高度 2.28 mm

封装 SMB

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

1SMB13AT3G引脚图与封装图
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1SMB13AT3G ON Semiconductor 安森美 1SMB 系列 15.9 V 600 W 双向 功率 齐纳 瞬态电压抑制器 搜索库存
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型号: 1SMB13AT3G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SMB 13V 600W

当前型号

1SMB 系列 15.9 V 600 W 双向 功率 齐纳 瞬态电压抑制器

当前型号

型号: 1SMB13AT3

品牌: 安森美

封装: SMB 13V 600W

完全替代

600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors

1SMB13AT3G和1SMB13AT3的区别

型号: 1SMB10AT3G

品牌: 安森美

封装: SMB 10V 600W

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品牌: 安森美

封装: SMB 12V 600W

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