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1SMB51AT3G

1SMB51AT3G

数据手册.pdf
ON Semiconductor 安森美 分立器件

ON SEMICONDUCTOR  1SMB51AT3G  TVS Diode, 1SMB Series, Unidirectional, 51 V, 82.4 V, DO-214AA, 2 Pins 新

极性Polarization| 单向 Unidirectional \---|--- 反向关断电压/工作电压VRWMReverse Standoff Voltage| 51V 反向击穿电压VBRBreakdown Voltage| 59.7V 峰值脉冲耗散功率PPPMPeak Pulse Power Dissipation| 600W 峰值脉冲电流IPPmPeak Forward Surge Current| 7.3A 额定耗散功率PdPower dissipation| 3W Description & Applications| 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors;Features • Working Peak Reverse Voltage Range − 5.0 V to 170 V • Standard Zener Breakdown Voltage Range − 6.7 V to 199 V • Peak Power − 600 W @ 1.0 ms • ESD Rating of Class 3 >16 kV per Human Body Model • Maximum Clamp Voltage @ Peak Pulse Current • Low Leakage < 5.0 uA Above 10 V • UL 497B for Isolated Loop Circuit Protection • Response Time is Typically < 1.0 ns • Pb−Free Packages are Available 描述与应用| 600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器;特性 •工作峰值反向电压范围 - 5.0 V至170 V •标准齐纳击穿电压范围 - 6.7 V至199 V •峰值电力 - 600 W@1.0ms •每人体模型ESD额定值的类3(>16千伏) •最大钳位电压峰值脉冲电流 •低漏高于10 V<5.0 UA •UL497B用于隔离回路的电路保护 •响应时间通常<1.0ns •无铅包可用

1SMB51AT3G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 51.0 V

工作电压 51 V

电容 345 pF

额定功率 600 W

无卤素状态 Halogen Free

击穿电压 59.7 V

电路数 1

针脚数 2

耗散功率 600 W

钳位电压 82.4 V

最大反向电压(Vrrm) 51V

测试电流 1 mA

最大反向击穿电压 62.7 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 56.7 V

击穿电压 56.7 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-214AA

外形尺寸

长度 4.6 mm

宽度 3.95 mm

高度 2.45 mm

封装 DO-214AA

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

1SMB51AT3G引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
1SMB51AT3G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  1SMB51AT3G  TVS Diode, 1SMB Series, Unidirectional, 51 V, 82.4 V, DO-214AA, 2 Pins 新 搜索库存
替代型号1SMB51AT3G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 1SMB51AT3G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SMB 51V 600W

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  1SMB51AT3G  TVS Diode, 1SMB Series, Unidirectional, 51 V, 82.4 V, DO-214AA, 2 Pins 新

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