1N5627GP-E3/73中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1V @3A
反向恢复时间 3 µs
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DO-201AD
外形尺寸
封装 DO-201AD
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Box TB
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
1N5627GP-E3/73引脚图与封装图
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在线购买1N5627GP-E3/73
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1N5627GP-E3/73 | Vishay Semiconductor 威世 | DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD | 搜索库存 |
替代型号1N5627GP-E3/73
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N5627GP-E3/73 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-201 | 当前型号 | DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD | 当前型号 |
| 型号： 1N5627GP-E3/54 品牌： 威世 封装： DO-201AD | 类似代替 | VISHAY 1N5627GP-E3/54 标准二极管, 3A, 800V, DO-201AD | 1N5627GP-E3/73和1N5627GP-E3/54的区别 |
| 型号： 1N5627GP-E3/4 品牌： 威世 封装： | 功能相似 | Rectifiers 3A 800V Glass Passivated | 1N5627GP-E3/73和1N5627GP-E3/4的区别 |
| 型号： 1N5627 品牌： Harris 封装： | 功能相似 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V VRRM, Silicon | 1N5627GP-E3/73和1N5627的区别 |