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199D106X9035D6B1E3

199D106X9035D6B1E3

数据手册.pdf
199D106X9035D6B1E3中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 35.0 V

电容 10 µF

容差 ±10 %

工作温度Max 125 ℃

额定电压 35 V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 Radial

外形尺寸

高度 12.66 mm

封装 Radial

物理参数

介质材料 Tantalum

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

199D106X9035D6B1E3引脚图与封装图
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199D106X9035D6B1E3 Vishay Semiconductor 威世 199D 系列 10 uF ±10 % 35 V 径向 固体电解质钽电容 搜索库存