![199D106X9035D6B1E3](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_459/chanpintu/199d106x9035d6b1e3-gY7hqOJi-8ZlmkgEXq.png)
199D106X9035D6B1E3中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 35.0 V
电容 10 µF
容差 ±10 %
工作温度Max 125 ℃
额定电压 35 V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 Radial
外形尺寸
高度 12.66 mm
封装 Radial
物理参数
介质材料 Tantalum
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
199D106X9035D6B1E3引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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199D106X9035D6B1E3 | Vishay Semiconductor 威世 | 199D 系列 10 uF ±10 % 35 V 径向 固体电解质钽电容 | 搜索库存 |