1N5221C-TAP中文资料参数规格
技术参数
容差 ±2 %
正向电压 1.1V @200mA
耗散功率 500 mW
测试电流 20 mA
稳压值 2.4 V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min 65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DO-35-2
外形尺寸
长度 3.9 mm
宽度 1.7 mm
高度 1.7 mm
封装 DO-35-2
物理参数
工作温度 175 ℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Ammo Pack
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
1N5221C-TAP引脚图与封装图
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在线购买1N5221C-TAP
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1N5221C-TAP | Vishay Semiconductor 威世 | DIODE 2.4V, 0.5W1/2W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, GLASS PACKAGE-2, Voltage Regulator Diode | 搜索库存 |
替代型号1N5221C-TAP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N5221C-TAP 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-35 | 当前型号 | DIODE 2.4V, 0.5W1/2W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, GLASS PACKAGE-2, Voltage Regulator Diode | 当前型号 |
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| 型号： 1N5221B 品牌： Taitron 封装： | 功能相似 | Diode Zener Single 2.4V 5% 0.5W1/2W 2Pin DO-35 Bulk | 1N5221C-TAP和1N5221B的区别 |