1N5222C-TR中文资料参数规格
技术参数
容差 ±2 %
正向电压 1.1V @200mA
耗散功率 500 mW
测试电流 20 mA
稳压值 2.5 V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min 65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DO-35-2
外形尺寸
长度 3.9 mm
宽度 1.7 mm
高度 1.7 mm
封装 DO-35-2
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
1N5222C-TR引脚图与封装图
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在线购买1N5222C-TR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1N5222C-TR | Vishay Semiconductor 威世 | DIODE 2.5V, 0.5W1/2W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, GLASS PACKAGE-2, Voltage Regulator Diode | 搜索库存 |
替代型号1N5222C-TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N5222C-TR 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-35-2 | 当前型号 | DIODE 2.5V, 0.5W1/2W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, GLASS PACKAGE-2, Voltage Regulator Diode | 当前型号 |
| 型号： 1N5222C-TAP 品牌： 威世 封装： DO-35 | 类似代替 | 稳压二极管 RECOMMENDED ALT 78-1N5222B-TAP | 1N5222C-TR和1N5222C-TAP的区别 |
| 型号： TZM5222B-GS08 品牌： 威世 封装： SOD-80 | 功能相似 | 500mW，TZM52xxB 系列，Vishay Semiconductor小信号齐纳二极管 超剧烈反向特性 非常高的稳定性 低反向电流电平 容差 ±5% 符合 AEC-Q101 ### 齐纳二极管，Vishay Semiconductor | 1N5222C-TR和TZM5222B-GS08的区别 |
| 型号： 1N5222 品牌： EIC 封装： | 功能相似 | ZENER DIODES | 1N5222C-TR和1N5222的区别 |