容差 ±2 %
正向电压 1.1V @200mA
耗散功率 500 mW
额定功率Max 500 mW
安装方式 Through Hole
封装 DO-35
封装 DO-35
工作温度 175 ℃
产品生命周期 Active
包装方式 Ammo Pack
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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1N5242C-TAP | Vishay Semiconductor 威世 | DIODE 12V, 0.5W1/2W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, GLASS PACKAGE-2, Voltage Regulator Diode | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 1N5242C-TAP 品牌: Vishay Semiconductor 威世 封装: DO-35 | 当前型号 | DIODE 12V, 0.5W1/2W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, GLASS PACKAGE-2, Voltage Regulator Diode | 当前型号 | |
型号: 1N5242C-TP 品牌: 美微科 封装: | 类似代替 | DO-35 12V 0.5W1/2W | 1N5242C-TAP和1N5242C-TP的区别 | |
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型号: 1N5242C-1E3 品牌: 美高森美 封装: | 功能相似 | DO-35 12V 0.5W1/2W | 1N5242C-TAP和1N5242C-1E3的区别 |