1N5262C-TAP中文资料参数规格
技术参数
容差 ±2 %
正向电压 1.1V @200mA
耗散功率 500 mW
测试电流 2.5 mA
稳压值 51 V
额定功率Max 500 mW
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DO-35
外形尺寸
封装 DO-35
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Ammo Pack
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
1N5262C-TAP引脚图与封装图
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在线购买1N5262C-TAP
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1N5262C-TAP | Vishay Semiconductor 威世 | DIODE 51V, 0.5W1/2W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, GLASS PACKAGE-2, Voltage Regulator Diode | 搜索库存 |
替代型号1N5262C-TAP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N5262C-TAP 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-35 | 当前型号 | DIODE 51V, 0.5W1/2W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, GLASS PACKAGE-2, Voltage Regulator Diode | 当前型号 |
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