![1N5237C-TAP](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_458/chanpintu/1n5237c-tap-AgCvwLkE-2qpme1Oo7.png)
容差 ±2 %
正向电压 1.1V @200mA
耗散功率 500 mW
测试电流 20 mA
稳压值 8.2 V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min 65 ℃
安装方式 Through Hole
封装 DO-35-2
长度 3.9 mm
宽度 1.7 mm
高度 1.7 mm
封装 DO-35-2
工作温度 175 ℃
产品生命周期 Active
包装方式 Ammo Pack
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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1N5237C-TAP | Vishay Semiconductor 威世 | DIODE 8.2V, 0.5W1/2W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, GLASS PACKAGE-2, Voltage Regulator Diode | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 1N5237C-TAP 品牌: Vishay Semiconductor 威世 封装: DO-35 | 当前型号 | DIODE 8.2V, 0.5W1/2W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, GLASS PACKAGE-2, Voltage Regulator Diode | 当前型号 | |
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