1N5817-TP中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 20.0 V
额定电流 1.00 A
电容 110 pF
输出电流 ≤1.00 A
正向电压 450mV @1A
极性 Standard
热阻 80℃/W RθJA
反向恢复时间 10 ns
最大正向浪涌电流（Ifsm） 25 A
正向电压Max 450mV @1A
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-41
外形尺寸
宽度 2.7 mm
封装 DO-41
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
1N5817-TP引脚图与封装图
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在线购买1N5817-TP
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1N5817-TP | Micro Commercial Components 美微科 | 1N5817 系列 1 A 20 V 通孔 肖特基势垒整流器 - DO-41 | 搜索库存 |
替代型号1N5817-TP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N5817-TP 品牌： Micro Commercial Components 美微科 封装： DO-41 20V 1A | 当前型号 | 1N5817 系列 1 A 20 V 通孔 肖特基势垒整流器 - DO-41 | 当前型号 |
| 型号： 1N5817-AP 品牌： 美微科 封装： | 完全替代 | Rectifier Diode, Schottky, 1Element, 1A, 20V VRRM, Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 | 1N5817-TP和1N5817-AP的区别 |
| 型号： 1N5817-BP 品牌： 美微科 封装： | 类似代替 | Rectifier Diode, Schottky, 1Element, 1A, 20V VRRM, Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 | 1N5817-TP和1N5817-BP的区别 |
| 型号： 1N5817RLG 品牌： 安森美 封装： DO-41 20V 1A | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR 1N5817RLG 肖特基整流器, 单, 20 V, 750 mA, DO-204AL, 2 引脚, 450 mV | 1N5817-TP和1N5817RLG的区别 |