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1N6008B_T50R

1N6008B_T50R

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
1N6008B_T50R中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 22.0 V

容差 ±5 %

额定功率 500 mW

正向电压 1.2V @200mA

耗散功率 500 mW

稳压值 22 V

正向电压Max 1.2V @200mA

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-35

外形尺寸

封装 DO-35

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

1N6008B_T50R引脚图与封装图
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在线购买1N6008B_T50R
型号 制造商 描述 购买
1N6008B_T50R Fairchild 飞兆/仙童 Diode Zener Single 22V 5% 0.5W1/2W 2Pin DO-35 T/R 搜索库存
替代型号1N6008B_T50R
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 1N6008B_T50R

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: DO-35 22V

当前型号

Diode Zener Single 22V 5% 0.5W1/2W 2Pin DO-35 T/R

当前型号

型号: 1N5251BTR

品牌: 飞兆/仙童

封装: DO-35 22V

完全替代

500mW,1N52 系列,Fairchild Semiconductor### 齐纳二极管,Fairchild Semiconductor

1N6008B_T50R和1N5251BTR的区别