1N5229BTR
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
1N5229BTR中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 4.30 V
容差 ±5 %
额定功率 500 mW
正向电压 1.2V @200mA
耗散功率 500 mW
测试电流 20 mA
稳压值 4.3 V
正向电压Max 1.2V @200mA
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-35-2
外形尺寸
长度 4.56 mm
宽度 1.91 mm
高度 1.91 mm
封装 DO-35-2
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
1N5229BTR引脚图与封装图
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在线购买1N5229BTR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1N5229BTR | Fairchild 飞兆/仙童 | 500mW，1N52 系列，Fairchild Semiconductor ### 齐纳二极管，Fairchild Semiconductor | 搜索库存 |
替代型号1N5229BTR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N5229BTR 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： DO-35 4.3V | 当前型号 | 500mW，1N52 系列，Fairchild Semiconductor### 齐纳二极管，Fairchild Semiconductor | 当前型号 |
| 型号： 1N5229B 品牌： 飞兆/仙童 封装： DO-35 4.3V 4.3V | 完全替代 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5229B. 齐纳二极管 | 1N5229BTR和1N5229B的区别 |
| 型号： 1N5229B_T50A 品牌： 飞兆/仙童 封装： DO-35 4.3V | 完全替代 | Diode Zener Single 4.3V 5% 0.5W1/2W 2Pin DO-35 Ammo | 1N5229BTR和1N5229B_T50A的区别 |
| 型号： 1N5991B_T50A 品牌： 飞兆/仙童 封装： DO-35 4.3V | 完全替代 | Diode Zener Single 4.3V 5% 0.5W1/2W 2Pin DO-35 Ammo | 1N5229BTR和1N5991B_T50A的区别 |