1N4448,133
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
1N4448,133中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1V @100mA
热阻 350℃/W RθJA
反向恢复时间 4 ns
正向电流 200 mA
正向电流Max 0.2 A
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
工作结温 200℃ Max
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-204AH
外形尺寸
宽度 1.85 mm
封装 DO-204AH
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
1N4448,133引脚图与封装图
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在线购买1N4448,133
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1N4448,133 | NXP 恩智浦 | DIODE HI-SPEED 100V 200mA DO-35 | 搜索库存 |
替代型号1N4448,133
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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