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1SMB12AT3G

1SMB12AT3G

数据手册.pdf
ON Semiconductor 安森美 分立器件

600W 齐纳表面安装瞬态电压抑制器,1SMB 系列(单向)

极性Polarization| 单向 Unidirectional \---|--- 反向关断电压/工作电压VRWMReverse Standoff Voltage| 12V 反向击穿电压VBRBreakdown Voltage| 14V 峰值脉冲耗散功率PPPMPeak Pulse Power Dissipation| 600W 峰值脉冲电流IPPmPeak Forward Surge Current| 30.2A 额定耗散功率PdPower dissipation| 3W Description & Applications| 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors;Features • Working Peak Reverse Voltage Range − 5.0 V to 170 V • Standard Zener Breakdown Voltage Range − 6.7 V to 199 V • Peak Power − 600 W @ 1.0 ms • ESD Rating of Class 3 >16 kV per Human Body Model • Maximum Clamp Voltage @ Peak Pulse Current • Low Leakage < 5.0 uA Above 10 V • UL 497B for Isolated Loop Circuit Protection • Response Time is Typically < 1.0 ns • Pb−Free Packages are Available 描述与应用| 600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器;特性 •工作峰值反向电压范围 - 5.0 V至170 V •标准齐纳击穿电压范围 - 6.7 V至199 V •峰值电力 - 600 W@1.0ms •每人体模型ESD额定值的类3(>16千伏) •最大钳位电压峰值脉冲电流 •低漏高于10 V<5.0 UA •UL497B用于隔离回路的电路保护 •响应时间通常<1.0ns •无铅包可用

1SMB12AT3G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 12.0 V

工作电压 12 V

电容 1245 pF

额定功率 600 W

无卤素状态 Halogen Free

击穿电压 13.3 V

电路数 1

针脚数 2

耗散功率 600 W

钳位电压 19.9 V

最大反向电压(Vrrm) 12V

测试电流 1 mA

最大反向击穿电压 14.7 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 13.3 V

击穿电压 13.3 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-214AA

外形尺寸

长度 4.6 mm

宽度 3.95 mm

高度 2.28 mm

封装 DO-214AA

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 车用, Automation & Process Control, Industrial, 通用, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals, Power Management, Automotive, Consumer Electronics, Medical

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

1SMB12AT3G引脚图与封装图
1SMB12AT3G引脚图

1SMB12AT3G引脚图

1SMB12AT3G封装焊盘图

1SMB12AT3G封装焊盘图

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1SMB12AT3G ON Semiconductor 安森美 600W 齐纳表面安装瞬态电压抑制器,1SMB 系列(单向) 搜索库存
替代型号1SMB12AT3G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 1SMB12AT3G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SMB 12V 600W

当前型号

600W 齐纳表面安装瞬态电压抑制器,1SMB 系列(单向)

当前型号

型号: 1SMB12AT3

品牌: 安森美

封装: SMB 12V 600W

完全替代

600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors

1SMB12AT3G和1SMB12AT3的区别

型号: SMBJ12A-13-F

品牌: 美台

封装: SMB 12V 600W

功能相似

特点•600W表面贴装瞬态电压抑制器•断态电压5.0V - 170V•玻璃钝化模施工•单向和双向版本•出色的钳位能力•快速响应时间•铅涂层/符合RoHS标准(注1)•绿色模塑化合物(无卤素和锑)

1SMB12AT3G和SMBJ12A-13-F的区别

型号: SMBJ12A

品牌: 飞兆/仙童

封装: DO-214 12V 600W

功能相似

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  SMBJ12A  TVS二极管, TVS, SMBJ系列, 单向, 12 V, 19.9 V, DO-214AA, 2 引脚

1SMB12AT3G和SMBJ12A的区别