锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

1.5KE30AG
ON Semiconductor 安森美 分立器件

1N6267A 系列 31.5 V 1500 W 单向 齐纳 瞬态电压抑制器

Mosorb devices are designed to protect voltage sensitive components from high voltage, high-energy transients. They have excellent clamping capability, high surge capability, low zener impedance and fast response time. These devices are ’s exclusive, cost-effective, highly reliable Surmetic axial leaded package and are ideally-suited for use in communication systems, numerical controls, process controls, medical equipment, business machines, power supplies and many other industrial/consumer applications, to protect CMOS, MOS and Bipolar integrated circuits.

1.5KE30AG中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 36.0 A

额定功率 1.50 kW

无卤素状态 Halogen Free

击穿电压 28.5 V

电路数 1

耗散功率 1500 W

钳位电压 41.4 V

最大反向电压(Vrrm) 25.6V

测试电流 1 mA

最大反向击穿电压 31.5 V

脉冲峰值功率 1500 W

最小反向击穿电压 28.5 V

击穿电压 28.5 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 -65℃ ~ 175℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-201AD

外形尺寸

长度 9.5 mm

直径 5.30 mm

封装 DO-201AD

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

1.5KE30AG引脚图与封装图
暂无图片
在线购买1.5KE30AG
型号 制造商 描述 购买
1.5KE30AG ON Semiconductor 安森美 1N6267A 系列 31.5 V 1500 W 单向 齐纳 瞬态电压抑制器 搜索库存
替代型号1.5KE30AG
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 1.5KE30AG

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: DO-201AD 30V 36A 1.5kW

当前型号

1N6267A 系列 31.5 V 1500 W 单向 齐纳 瞬态电压抑制器

当前型号

型号: 1N6282AG

品牌: 安森美

封装: Case

完全替代

ON SEMICONDUCTOR  1N6282AG  TVS二极管, TVS, MOSORB系列, 单向, 25.6 V, 41.4 V, 轴向引线, 2 引脚

1.5KE30AG和1N6282AG的区别

型号: 1.5KE30ARL4G

品牌: 安森美

封装: Case

完全替代

1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器(单向)Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率:1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>16kV/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B,用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

1.5KE30AG和1.5KE30ARL4G的区别

型号: 1N6282ARL4G

品牌: 安森美

封装: Axial 30V 1.5kW

类似代替

1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器(单向)Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率:1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>16kV/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B,用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

1.5KE30AG和1N6282ARL4G的区别