额定电压DC 30.0 V
额定电流 36.0 A
额定功率 1.50 kW
无卤素状态 Halogen Free
击穿电压 28.5 V
电路数 1
耗散功率 1500 W
钳位电压 41.4 V
最大反向电压(Vrrm) 25.6V
测试电流 1 mA
最大反向击穿电压 31.5 V
脉冲峰值功率 1500 W
最小反向击穿电压 28.5 V
击穿电压 28.5 V
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
工作结温 -65℃ ~ 175℃
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-201AD
长度 9.5 mm
直径 5.30 mm
封装 DO-201AD
工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
制造应用 通用
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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1.5KE30AG | ON Semiconductor 安森美 | 1N6267A 系列 31.5 V 1500 W 单向 齐纳 瞬态电压抑制器 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 1.5KE30AG 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: DO-201AD 30V 36A 1.5kW | 当前型号 | 1N6267A 系列 31.5 V 1500 W 单向 齐纳 瞬态电压抑制器 | 当前型号 | |
型号: 1N6282AG 品牌: 安森美 封装: Case | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR 1N6282AG TVS二极管, TVS, MOSORB系列, 单向, 25.6 V, 41.4 V, 轴向引线, 2 引脚 | 1.5KE30AG和1N6282AG的区别 | |
型号: 1.5KE30ARL4G 品牌: 安森美 封装: Case | 完全替代 | 1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器(单向)Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率:1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>16kV/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B,用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor | 1.5KE30AG和1.5KE30ARL4G的区别 | |
型号: 1N6282ARL4G 品牌: 安森美 封装: Axial 30V 1.5kW | 类似代替 | 1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器(单向)Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率:1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>16kV/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B,用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor | 1.5KE30AG和1N6282ARL4G的区别 |