1N5226B
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
1N5226B中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 3.30 V
容差 ±5 %
额定功率 500 mW
击穿电压 3.30 V
针脚数 2
正向电压 1.2V @200mA
耗散功率 500 mW
测试电流 20 mA
稳压值 3.3 V
正向电压Max 1.2V @200mA
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-35-2
外形尺寸
长度 4.56 mm
宽度 1.91 mm
高度 1.91 mm
封装 DO-35-2
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
1N5226B引脚图与封装图 
1N5226B引脚图
1N5226B封装图
1N5226B封装焊盘图
在线购买1N5226B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1N5226B | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5226B 单管二极管 齐纳, 3.3 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C | 搜索库存 |
替代型号1N5226B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N5226B 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： DO-35 3.3V 3.3V | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5226B 单管二极管 齐纳, 3.3 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C | 当前型号 |
| 型号： 1N5226BTR 品牌： 飞兆/仙童 封装： DO-35 3.3V | 完全替代 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5226BTR 单管二极管 齐纳, 3.3 V, 500 mW, DO-204AH, 5 %, 2 引脚, 200 °C | 1N5226B和1N5226BTR的区别 |
| 型号： BZX79C3V3 品牌： 飞兆/仙童 封装： DO-35 3.3V 3.3V | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BZX79C3V3 单管二极管 齐纳, 3.3 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C | 1N5226B和BZX79C3V3的区别 |
| 型号： 1N746A 品牌： 飞兆/仙童 封装： DO-35 3.3V 3.3V | 类似代替 | 齐纳二极管 Zeners | 1N5226B和1N746A的区别 |